内容摘要：1 叙文主族两维质料已经不才一代电子质料战光电、能源等规模隐现出了宏大大的后劲。正在元素周期表上，那些由III族到VI族元素的单簿本组成的簿本级薄材薄材料已经隐现出卓越的特色，如铋的远室温拓扑尽缘性、

1 叙文

主族两维质料已经不才一代电子质料战光电、文览维质能源等规模隐现出了宏大大的尽主后劲。正在元素周期表上，族两质料那些由III族到VI族元素的新兴单簿本组成的簿本级薄材薄材料已经隐现出卓越的特色，如铋的文览维质远室温拓扑尽缘性、磷烯战硅的尽主极下电子迁移率、战小大量锂离子存储才气。族两质料出于最新仄息的新兴类主族元素质料,正在此笔者回念了迄古为止，毗邻种种元素的文览维质晶体挨算两维质料，它们的尽主丈量/展看属性，并确定它们的族两质料劣面战倾向倾向的操做，收罗电子、新兴自旋电子教、文览维质光电子教、尽主能量转换，族两质料等等。

图1. 两维主族元素的概述。^[1-3]

2 主族两维元素质料的晶体同素同形体

图2. 种种主族元素两维质料的同素同形体。^[4]

2D质料的质料性量(电子、光教、热教等)不但与决于它们的化教组成，借与它们的同素同 形体，簿本若何正在晶格中摆列松稀松稀亲稀相闭。正在那类情景下，图2提醉了种种晶格的例子，那些晶格逾越了魔难魔难或者实际钻研的两维质料的规模。

3 主族两维质料配合性量

两维质料的晶格挨算，价电子战它们的相对于能量的不开，产去世了小大量配合的性量。

带隙：从III族到VI族，单层两维质料的总体趋向是从金属背半金属过渡到半导体动做。如图3所示。好比硼烯，铝，镓等皆是金属性，远似的残缺具备智慧晶格挨算的IV族两维质料也皆具备远似石朱烯的狄推克半金属带挨算，具备经由历程种种外部宽慰妨碍带隙调制的可能性。正在V族，单层乌色战蓝色磷烯分说提醉出1.88战1.1 eV的带隙宽。随着层数的删减，带隙赫然减小，由于块体乌磷带隙仅为0.3 eV。^[5,6]

图3. 单层两维根基质料的电子能带及其挨算。^[4]

自旋轨讲耦开：IV族硫属两维质料具备半金属带挨算已经被展看出随着簿本序数的删减（C < Si < G < Sn）其外部自旋轨讲耦开导致正在狄推克锥周围挨开一个小的带隙，提供了真现量子自旋霍我效应的可能性。^[7]

4 主族两维质料的带隙调制

纳米质料中的带隙正在光电子性量中起着尾要的熏染感动，并抉择着它们的操做。与半金属中自旋轨讲耦开的建正水仄远似，除了非借有申明，正在残缺情景下皆回支了一些策略，经由历程实际建模去调节(或者挨开)根基两维质料的带隙。常睹有应变、电场、异化、边缘战/或者概况钝化对于带隙的影响，以此调节带隙以真现新的操做。

应变：正在半金属锗中，推伸应变抵达16%时会将狄推克面移到费米能级之上，其中由于sp杂化轨讲降降战Ge-Ge键边少而提醉p型特色。^[8]

电场：实际展看电子门控(里中电场)的操做可能克制硅烯战锗烯的能带挨算，不像石朱烯，它不受外部垂直电场的影响。对于单层硅烯，带隙随电场强度线性修正，估量总隙下达18 meV。^[9]

异化：除了应变战电场中，借展看了异化、吸拦阻概况钝化等不开的格式去修正两维元素质料的能带挨算。好比，Berdiyorov等人经由历程Si、B战N钻研了五层石朱烯的替换异化，并展看了带隙的削减，尽管其幅度与决于异化物的典型战位置。^[10]此外一圆里，做者凭证Li等人的钻研收现，经由历程F战H的概况停止删减了带隙，并赫然修正了电荷扩散。^[11]Luo等人钻研了B战N正在phagraphene NRs中的异化，并展看B异化会随着异化位置的不开而消除了/修正带隙，而N或者BN异化则会删减带隙。^[12]

5 主族两维质料的电子与传感操做

到古晨为止，正在图4中所示的三个闭头规模中，钻研职员已经探供操做那些特意战多样化的特色做为将去两维质料的电子战传感仄台：柔性/低功率电子、自旋电子教战擅体/化教传感器。其余2D质料已经正在那些规模隐现出了宏大大的后劲，收罗柔性低功率电子产物，由于其固有的质料柔性，低挨开电压，与散开物基板的兼容性。主族两维过渡金属硫族化开物质料战石朱烯的乐因素化、减工战散成妄想将是使那些见识与两维元素质料真现不同见识的闭头，由于其劣越的功能战分解单量质料的利便性，潜在的功能将患上到改擅。^{[13, 14]}

对于柔性电子器件去讲，两维柔性电子商业化去世少最具挑战性的足艺壁垒是正在柔性衬底上质料的制备战分解，战对于一再应变战动态应变下功能的清晰。散漫开展战处置足艺，如高温真空群散或者快捷热/光子退水，正在柔性基材上睁开下量量的质料。此外一莳格式是直接转移正在传统基材上分解的质料。转移法已经证实可能约莫真现下功能的柔性电子系统，并可能为基于两维质料的柔性、低功率电子系统提供闭头工艺。^[15]

对于传感器去讲，基于纳米质料(特意是两维质料)的气体战化教传感用具备下度的锐敏度，收罗其小大的概况体积比、下的室温迁移率、场效应晶体管多少多挨算中的阈下摆动战化教晃动性。

自旋电子教是一个具备潜在革命性的规模，它操做电子的自旋去处置相闭数据，而不是像传统电子教那样操做电荷。两维质料概况是将去自旋电子教的闭头，由于由于量子约束战少自旋轨讲耦开，那些质料的自旋寿命每一每一被耽搁到可丈量的时候尺度。古晨，钻研职员针对于Bi基，硅烯战锡烯等两维质料妨碍了钻研。尽管患上到了确定的仄息，可是借远远不够。当下需供更多的魔难魔难工做去真现战测试那些自旋电子器件的可止性战牢靠性，但愈去愈多的实际证据批注，基于主族2D质料的自旋电子教可能会产不断艺革命。^{[16, 17]}

尽管两维质料自己展现出良多配合的特色，使它们成为将去电子战传感器的有力候选质料，将那些质料以同量挨算的模式组开起去可能进一步真现质料不孤坐展现的耦开或者增强下场。操做两维质料钻研那些同量挨算的界里、激子战电子性量是一个有待探供的钻研规模。

图4. 两维质料的先进电子操做，收罗柔性/低功率系统、自旋电子教战传感器。^[4]

6 主族两维质料的光子战光电操做

两维质料的开叠或者直开挨算导致了光教育电性的各背异性，那为设念见识上新的光电器件战电子器件提供了新的逍遥度，那是传统或者其余两维质料所不能真现的。第一批针对于两维质料光电子操做的规模理当是光探测。两维半导体质料的带隙刻拆穿困绕从可睹光到黑中光波段，那使患上它们颇为相宜正在光探测规模操做。之后光探测足艺主假如基于下功能，低功耗，可制备，电子散成化下的硅基质料。可是，操做波及黑中光探测，即低于Si (1.1 eV)的带隙，那依靠于更配合的半导体，如InGaAs或者HgCdTe。探测波少正在1.55 um（通讯波段，C-band：1.53-1.57 um）同样往每一每一操做于光纤光通讯。两维质料，收罗石朱烯、过渡金属硫属化物，具备逾越该波少规模的带隙，从远黑中(NIR)到中黑中(MIR)战远黑中(FIR)，即1~10µm，那使它们成为黑中探测器等新兴的候选质料。

图5总结了多少种两维质料的光电探测器功能战劣面。商业质料(Si、Ge、InGaAs战HgCdTe)战其余两维质料，收罗石朱烯战过渡金属硫属化物(MoS₂、WS₂战WSe₂)。基于两维质料的光电探测器的吸应率比照传统质料同样下(0.1–1 A W^-1 )导致更下（10⁷ A W^-1 ）。可是，仄均吸合时候要缓良多(ms而不是ns时候尺度)，那是由良多成份造成的，好比器件挨算战正在界里战缺陷处的捉拿电荷。将去器件功能的改擅理当会导致更低的吸合时候(更下的带宽)战更下的吸应率。^[18]

图5. 种种两维质料的光电探测器吸应的吸应率战时候吸应（上图）。种种光电探测器的探测才气D*与探测波少的关连图（下图）。^[4]

7 展看

图6正在一个主成份阐收图中隐现了那些两维质料正在电子教战光子教等普遍规模的操做之间的相闭性等述讲文献的远况。基于两维质料的足艺革命将需供正在将去多少年妨碍小大量的钻研、工程战斥天。尽管里临着宏大大的挑战，毫无疑难，那些使人清静的质料的特意功能将影响将去的足艺空间，如纳米电子、传感、自旋电子教战光子教。

图6. 两维质料元素的操做阐收。^[4]

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[18] G. Konstantatos, Nat. Co妹妹un. 2018, 9, 5266.

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